MOSFET Texas Instruments CSD17484F4T, VDSS 30 V, ID 3 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 145-1158Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17484F4T
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Serie

FemtoFET

Tipo de Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

270 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

0.64mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1570 nC a 0 V

Altura

0.2mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

0.9V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD17484F4T, VDSS 30 V, ID 3 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

250

Disponible en múltiplos de 250
250P.O.A.
500P.O.A.
750P.O.A.
1000P.O.A.
1250P.O.A.
1500P.O.A.
1750P.O.A.
2000P.O.A.
2250P.O.A.
2500P.O.A.
2750P.O.A.
3000P.O.A.
3250P.O.A.
3500P.O.A.
3750P.O.A.

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N

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Serie

FemtoFET

Tipo de Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

270 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±12 V

Ancho

0.64mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

1.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1570 nC a 0 V

Altura

0.2mm

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