Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.28e+008 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.65V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Volver a intentar más tarde
$ 4.100
$ 82 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 4.879
$ 97,58 Each (In a Pack of 50) (IVA Inc.)
Estándar
50
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Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.28e+008 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.65V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si


