Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.64mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,01 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.35mm
Serie
FemtoFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
550 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Ancho
0.64mm
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,01 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.35mm
Serie
FemtoFET
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto