MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T, VDSS 30 V, ID 50 A, VSON-CLIP de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 133-0151Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17308Q3T
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

50 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

VSON-CLIP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

28 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7.4 nC

Ancho

3.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Serie

NexFET

Altura

1.1mm

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD17308Q3T, VDSS 30 V, ID 50 A, VSON-CLIP de 8 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16,5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

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-8 V, +10 V

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1

Temperatura máxima de funcionamiento

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Longitud

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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