Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2,7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,9 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Series
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
Estándar
10
P.O.A.
Estándar
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
47 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
16,5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2,7 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.4mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,9 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Series
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1.1mm
Datos del producto