Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
73A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
SON
Series
NexFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
17.3mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
3W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
4nC
Tensión directa Vf
0.85V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Anchura
5 mm
Altura
1.1mm
Largo
5.8mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
$ 987.500
$ 395 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.175.125
$ 470,05 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 987.500
$ 395 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.175.125
$ 470,05 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
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2500
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
73A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
30V
Encapsulado
SON
Series
NexFET
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
8
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
17.3mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
3W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
4nC
Tensión directa Vf
0.85V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Anchura
5 mm
Altura
1.1mm
Largo
5.8mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto


