Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.8mm
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 378
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 449,82
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
$ 378
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 449,82
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
VSONP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
17.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Ancho
5mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
4 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Longitud
5.8mm
Altura
1.1mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto