MOSFET Texas Instruments CSD17303Q5, VDSS 30 V, ID 100 A, SON de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 827-4820Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD17303Q5
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

100 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

3.2 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 4,5 V

Ancho

5.1mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

1.05mm

Serie

NexFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

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N

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Tipo de Encapsulado

SON

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8

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3,7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.6V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

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3.2 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.1mm

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Ancho

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Si

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