MOSFET Texas Instruments CSD16412Q5A, VDSS 25 V, ID 52 A, SON de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 162-8533Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD16412Q5A
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

52 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

3000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +16 V

Ancho

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,9 nC a 4,5 V

Altura

1.1mm

Serie

NexFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD16412Q5A, VDSS 25 V, ID 52 A, SON de 8 pines, config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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N

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52 A

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SON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.7V

Disipación de Potencia Máxima

3000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-12 V, +16 V

Ancho

5mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2,9 nC a 4,5 V

Altura

1.1mm

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NexFET

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