Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,8 nC a 4,5 V
Ancho
3.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.1mm
Series
NexFET
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
10
P.O.A.
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10
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Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
79 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
SON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.4V
Disipación de Potencia Máxima
46 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-12 V, +16 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
3.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
5,8 nC a 4,5 V
Ancho
3.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
1.1mm
Series
NexFET
Datos del producto