MOSFET Texas Instruments CSD16340Q3, VDSS 25 V, ID 60 A, SON de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 162-8530Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD16340Q3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

3.4mm

Largo

3.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.1mm

País de Origen

Malaysia

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

MOSFET Texas Instruments CSD16340Q3, VDSS 25 V, ID 60 A, SON de 8 pines, , config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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Tipo de Encapsulado

SON

Tipo de montaje

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Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

3 W

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Single

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-8 V, +10 V

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1

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3.4mm

Largo

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,5 nC a 4,5 V

Material del transistor

Si

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Temperatura Mínima de Operación

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