MOSFET Texas Instruments CSD16321Q5, VDSS 25 V, ID 100 A, VSON-CLIP de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
3.1 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.1mm
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.05mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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$ 1.033 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
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2500
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NexFET
Tipo de Encapsulado
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Tipo de Montaje
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Número de pines
8
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3.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.4V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
5.1mm
Largo
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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