MOSFET Texas Instruments CSD16301Q2, VDSS 25 V, ID 5 A, WSON de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
2mm
Largo
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 639.000
$ 213 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 760.410
$ 253,47 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
3000
$ 639.000
$ 213 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 760.410
$ 253,47 Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
3000
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Series
NexFET
Tipo de Encapsulado
WSON
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
34 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.55V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.9V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-8 V, +10 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
2mm
Largo
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.8mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos