MOSFET Texas Instruments CSD16301Q2, VDSS 25 V, ID 5 A, WSON de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-4672PMarca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD16301Q2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

25 V

Series

NexFET

Tipo de Encapsulado

WSON

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

34 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.55V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

2.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Anchura

2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.8mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Texas Instruments CSD16301Q2, VDSS 25 V, ID 5 A, WSON de 6 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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Producción -

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10

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50P.O.A.
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80P.O.A.
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WSON

Tipo de Montaje

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

34 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.55V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.9V

Disipación de Potencia Máxima

2.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-8 V, +10 V

Anchura

2mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

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