MOSFET Texas Instruments CSD13383F4T, VDSS 12 V, ID 2,9 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 900-9955PMarca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD13383F4T
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

PICOSTAR

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

0.64mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

2 nC a 0 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Profundidad

1.04mm

Material del transistor

Si

Serie

FemtoFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Altura

0.35mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD13383F4T, VDSS 12 V, ID 2,9 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 10.

Producción -

Disponible en múltiplos de 10.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

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1

Longitud

0.64mm

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2 nC a 0 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Profundidad

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Si

Serie

FemtoFET

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