MOSFET Texas Instruments CSD13381F4T, VDSS 12 V, ID 2,1 A, PICOSTAR de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
PICOSTAR
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,06 nC a 4,5 V
Profundidad
0.64mm
Material del transistor
Si
Serie
FemtoFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.35mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N FemtoFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
20
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N
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
400 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
1.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,06 nC a 4,5 V
Profundidad
0.64mm
Material del transistor
Si
Serie
FemtoFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.35mm
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