MOSFET Texas Instruments CSD13306WT, VDSS 12 V, ID 3,5 A, DSBGA de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 900-9927Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD13306WT
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

DSBGA

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

1.9 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud:

1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,6 nC a 0 V

Profundidad

1.49mm

Material del transistor

Si

Serie

NexFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1V

Altura

0.28mm

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD13306WT, VDSS 12 V, ID 3,5 A, DSBGA de 6 pines, config. Simple

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

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Tipo de montaje

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

1.9 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Longitud:

1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

8,6 nC a 0 V

Profundidad

1.49mm

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Si

Serie

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