MOSFET Texas Instruments CSD13303W1015, VDSS 12 V, ID 3,5 A, DSBGA de 6 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
DSBGA
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
1,65 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,9 nC a 4,5 V
Ancho
1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.38mm
Serie
NexFET
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
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P.O.A.
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N
Maximum Continuous Drain Current
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
12 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
23 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
1,65 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
1.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,9 nC a 4,5 V
Ancho
1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
0.38mm
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