MOSFET Texas Instruments CSD13303W1015, VDSS 12 V, ID 3,5 A, DSBGA de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 827-4675Marca: Texas InstrumentsNúmero de parte de fabricante: CSD13303W1015
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Texas Instruments

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Tipo de Encapsulado

DSBGA

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

1,65 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

1.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,9 nC a 4,5 V

Profundidad

1mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

0.38mm

Serie

NexFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de alimentación de canal N NexFET™, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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P.O.A.

MOSFET Texas Instruments CSD13303W1015, VDSS 12 V, ID 3,5 A, DSBGA de 6 pines, config. Simple

10

Disponible en múltiplos de 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

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Tipo de montaje

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.65V

Disipación de Potencia Máxima

1,65 W

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

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3,9 nC a 4,5 V

Profundidad

1mm

Material del transistor

Si

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1

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