MOSFET Texas Instruments BQ500101DPCT, VDSS 30 V, ID 10 A, VSON-CLIP de 8 pines, 2elementos, config. Base doble
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Profundidad
3.6mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Longitud
4.6mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de diodo directa
0.24V
Datos del producto
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
Bloque de potencia NexFET de medio puente
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Texas InstrumentsTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Serie
NexFET
Tipo de Encapsulado
VSON-CLIP
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
8 W
Transistor Configuration
Dual Base
Profundidad
3.6mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
125 °C
Longitud
4.6mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Tensión de diodo directa
0.24V
Datos del producto
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
Bloque de potencia NexFET de medio puente