MOSFET Taiwan Semiconductor TSM6N60CP ROG, VDSS 600 V, ID 6 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,25 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
89000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,7 nC a 10 V
Altura
2.3mm
Tensión de diodo directa
1.5V
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Vuelva a verificar más tarde.
$ 668
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 794,92
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
$ 668
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 794,92
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,25 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
89000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Profundidad
5.8mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20,7 nC a 10 V
Altura
2.3mm
Tensión de diodo directa
1.5V