MOSFET Taiwan Semiconductor TSM60NB260CI C0G, VDSS 600 V, ID 13 A, ITO-220S de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
ITO-220S
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
260 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
32,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Altura
15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
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P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
ITO-220S
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
260 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
32,1 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
4.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
10mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Altura
15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V