MOSFET Taiwan Semiconductor TSM60NB260CI C0G, VDSS 600 V, ID 13 A, ITO-220S de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-3632Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM60NB260CI C0G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

13 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

ITO-220S

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

260 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

32,1 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

30 nC a 10 V

Altura

15mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.4V

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P.O.A.

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM60NB260CI C0G, VDSS 600 V, ID 13 A, ITO-220S de 3 pines, config. Simple

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000P.O.A.
2000P.O.A.
3000P.O.A.
4000P.O.A.
5000P.O.A.
6000P.O.A.
7000P.O.A.
8000P.O.A.
9000P.O.A.
10000P.O.A.
11000P.O.A.
12000P.O.A.
13000P.O.A.
14000P.O.A.
15000P.O.A.

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

260 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

32,1 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Profundidad

4.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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