MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4806CS RLG, VDSS 20 V, ID 28 A, SOP de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-3623Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM4806CS RLG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

28 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Longitud

4.85mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12,3 nC a 4,5 V

Ancho

3.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Altura

0.8mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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P.O.A.

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4806CS RLG, VDSS 20 V, ID 28 A, SOP de 8 pines, config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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N

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SOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

31 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Longitud

4.85mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12,3 nC a 4,5 V

Ancho

3.9mm

Número de Elementos por Chip

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