MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4425CS RLG, VDSS 30 V, ID 11 A, SOP de 8 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-3621Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM4425CS RLG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

3.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

64 nC a 10 V

Longitud

4.85mm

Altura

1.37mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

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P.O.A.

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM4425CS RLG, VDSS 30 V, ID 11 A, SOP de 8 pines, config. Simple

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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N

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SOP

Tipo de montaje

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8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

3.9mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura de Funcionamiento Máxima

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

64 nC a 10 V

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