MOSFET Taiwan Semiconductor TSM3457CX6 RFG, VDSS 30 V, ID 5 A, SOT-26 de 6 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-26
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,52 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
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P.O.A.
10
P.O.A.
10
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-26
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,52 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
3.1mm
Profundidad
1.7mm
Material del transistor
Si
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
1.1mm
País de Origen
China
Datos del producto