MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2309CX RFG, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
240 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.56 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,2 nC a 10 V
Longitud
2.9mm
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1V
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P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
3,1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
240 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.56 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
1.6mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,2 nC a 10 V
Longitud
2.9mm
Altura
0.95mm
Tensión de diodo directa
1V