MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2303CX RFG, VDSS 30 V, ID 1,3 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-3614Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM2303CX RFG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 4,5 V

Altura

1.2mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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P.O.A.

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM2303CX RFG, VDSS 30 V, ID 1,3 A, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

1.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

700 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

1.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 4,5 V

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