MOSFET Taiwan Semiconductor TSM1NB60CH C5G, VDSS 600 V, ID 1 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
IPAK (TO-251)
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
39000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
2.3mm
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
6,1 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud
6.6mm
Altura
6.1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.4V
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$ 657
Each (On a Reel of 1875) (Sin IVA)
$ 781,83
Each (On a Reel of 1875) (IVA Incluido)
1875
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Disipación de Potencia Máxima
39000 mW
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Ancho
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Número de Elementos por Chip
1
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6,1 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
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