MOSFET Taiwan Semiconductor TSM126CX RFG, VDSS 600 V, ID 30 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-3612Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM126CX RFG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

30 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

800 Ω

Modo de Canal

Depletion

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,18 nC a 5 V

Profundidad

1.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.1mm

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P.O.A.

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM126CX RFG, VDSS 600 V, ID 30 mA, SOT-23 de 3 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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N

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

800 Ω

Modo de Canal

Depletion

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.7V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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