MOSFET Taiwan Semiconductor TSM120N06LCP ROG, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-252 de 3 + Tab pines, config. Simple

Código de producto RS: 171-3671Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM120N06LCP ROG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.57mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V

Ancho

6.11mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

2.29mm

Tensión de diodo directa

1V

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

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P.O.A.

MOSFET Taiwan Semiconductor TSM120N06LCP ROG, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-252 de 3 + Tab pines, config. Simple

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

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N

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

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TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.57mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V

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