MOSFET Taiwan Semiconductor TSM120N06LCP ROG, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-252 de 3 + Tab pines, config. Simple

Name: MOSFET Taiwan Semiconductor TSM120N06LCP ROG, VDSS 60 V, ID 70 A, TO-252 de 3 + Tab pines, config. Simple
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 1713671

Código de producto RS: 171-3671Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM120N06LCP ROG

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.57mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V

Profundidad

6.11mm

Número de Elementos por Chip

Altura

2.29mm

Tensión de diodo directa

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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P.O.A.

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Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.57mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 4,5 V, 37 nC a 10 V

Profundidad

6.11mm

Número de Elementos por Chip

Altura

2.29mm

Tensión de diodo directa

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C