MOSFET Taiwan Semiconductor TSM090N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-3659Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM090N03CP ROG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

54,9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

40 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,5 nC a 4,5 V

Altura

2.3mm

Tensión de diodo directa

1V

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$ 1.657

Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

$ 1.971,83

Each (In a Pack of 25) (IVA Incluido)

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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 41.425
50$ 82.850
75$ 107.400
100$ 143.200
125$ 179.000
150$ 188.100
175$ 219.450
200$ 250.800
225$ 282.150
250$ 313.500
275$ 344.850
300$ 376.200
325$ 407.550
350$ 438.900
375$ 470.250

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25

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25$ 41.425
50$ 82.850
75$ 107.400
100$ 143.200
125$ 179.000
150$ 188.100
175$ 219.450
200$ 250.800
225$ 282.150
250$ 313.500
275$ 344.850
300$ 376.200
325$ 407.550
350$ 438.900
375$ 470.250

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
25 - 50$ 1.657$ 41.425
75 - 125$ 1.432$ 35.800
150 - 475$ 1.254$ 31.350
500+$ 1.110$ 27.750

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Especificaciones

Brand

Taiwan Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

54,9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

13 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

40 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

5.8mm

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.5mm

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7,5 nC a 4,5 V

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