MOSFET Taiwan Semiconductor TSM060N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 171-3607Marca: Taiwan SemiconductorNúmero de parte de fabricante: TSM060N03CP ROG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

54 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Profundidad

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,1 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Altura

2.3mm

Tensión de diodo directa

1V

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$ 894

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 1.063,86

Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

9 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

54 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

6.5mm

Profundidad

5.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

11,1 nC a 4,5 V

Número de Elementos por Chip

1

Altura

2.3mm

Tensión de diodo directa

1V