MOSFET Taiwan Semiconductor TSM060N03CP ROG, VDSS 30 V, ID 80 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Profundidad
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,1 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.3mm
Tensión de diodo directa
1V
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$ 894
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.063,86
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
54 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.5mm
Profundidad
5.8mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,1 nC a 4,5 V
Número de Elementos por Chip
1
Altura
2.3mm
Tensión de diodo directa
1V