Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
47.8V
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
DO-214
Tensión de corte inversa máxima Vwm
43V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
1.5kW
Tensión de sujeción VC
69.4V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
21.6A
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
2.75mm
Longitud:
7.15mm
Certificaciones y estándares
FBI
Profundidad
6.25mm
Serie
SMCJ
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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20
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Brand
Taiwan SemiconductorConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
47.8V
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
DO-214
Tensión de corte inversa máxima Vwm
43V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
1.5kW
Tensión de sujeción VC
69.4V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
21.6A
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
2.75mm
Longitud:
7.15mm
Certificaciones y estándares
FBI
Profundidad
6.25mm
Serie
SMCJ
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto