Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tipo de producto
Diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
31.1V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
DO-214
Tensión de corte inversa máxima Vwm
28V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
600W
Tensión de sujeción VC
45.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
13.2A
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
3.95mm
Serie
SMBJ
Altura
2.45mm
Largo
4.75mm
Certificaciones y estándares
FBI
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
50
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Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
Single
Tipo de producto
Diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
31.1V
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
DO-214
Tensión de corte inversa máxima Vwm
28V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
600W
Tensión de sujeción VC
45.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
13.2A
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
3.95mm
Serie
SMBJ
Altura
2.45mm
Largo
4.75mm
Certificaciones y estándares
FBI
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Datos del producto