Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
5.1 x 4.1 x 4.7mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
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P.O.A.
250
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250
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Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
30 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
200
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
30 V
Tensión Máxima Emisor-Base
6 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Dimensiones del Cuerpo
5.1 x 4.1 x 4.7mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto