Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Producto
Diode
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOT-23
Corriente continua máxima directa lf
200mA
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
30V
Configuración de diodo
Common Cathode
Serie
BAT54
Tipo de Rectificador
Diodo Schottky
Número de pines
3
Corriente inversa de pico lr
2μA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
600mA
Tensión directa máxima Vf
1V
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
5ns
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
0.95mm
Longitud
3.05mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor
Baja pérdida de potencia
Caída de tensión directa baja
Capacidad de corriente alta
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Volver a intentar más tarde
$ 4.900
$ 49 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 5.831
$ 58,31 Each (In a Pack of 100) (IVA Inc.)
Estándar
100
$ 4.900
$ 49 Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)
$ 5.831
$ 58,31 Each (In a Pack of 100) (IVA Inc.)
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Estándar
100
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 100 - 100 | $ 49 | $ 4.900 |
| 200 - 300 | $ 44 | $ 4.400 |
| 400 - 700 | $ 41 | $ 4.100 |
| 800 - 1400 | $ 39 | $ 3.900 |
| 1500+ | $ 30 | $ 3.000 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de Producto
Diode
Tipo de Montaje
Superficie
Encapsulado
SOT-23
Corriente continua máxima directa lf
200mA
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
30V
Configuración de diodo
Common Cathode
Serie
BAT54
Tipo de Rectificador
Diodo Schottky
Número de pines
3
Corriente inversa de pico lr
2μA
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
600mA
Tensión directa máxima Vf
1V
Tiempo de recuperación inversa máxima trr
5ns
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
0.95mm
Longitud
3.05mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor
Baja pérdida de potencia
Caída de tensión directa baja
Capacidad de corriente alta


