Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
420V
Tipo de Montaje
Through Hole
Encapsulado
DO-201
Tensión de corte inversa máxima Vwm
342V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
1.5kW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
2.8A
Tensión de sujeción VC
548V
Número de elementos por chip
1
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud:
9.5mm
Diámetro
5.6mm
Certificaciones y estándares
FBI
Serie
1V5KE
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
P.O.A.
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25
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Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorConfiguración de diodo
Single
Tipo de Producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tensión mínima de ruptura Vbr
420V
Tipo de Montaje
Through Hole
Encapsulado
DO-201
Tensión de corte inversa máxima Vwm
342V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
1.5kW
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
2.8A
Tensión de sujeción VC
548V
Número de elementos por chip
1
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Longitud:
9.5mm
Diámetro
5.6mm
Certificaciones y estándares
FBI
Serie
1V5KE
Estándar de automoción
No
Corriente de Fugas Inversa Máxima
5μA
Datos del producto