Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de producto
Diode
Tipo de soporte
Through Hole
Encapsulado
DO-41
Corriente continua máxima directa lf
1A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
20V
Series
1N581x
Configuración de diodo
Single
Tipo de rectificador
Diodo rectificador
Número de pines
2
Corriente inversa de pico lr
1mA
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
30A
Tensión directa máxima Vf
750mV
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Ancho
2.7 mm
Altura
2.7mm
Longitud
5.2mm
Diámetro
2.7 mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor
Baja pérdida de potencia
Caída de tensión directa baja
Capacidad de corriente alta
Diodes and Rectifiers, Taiwan Semiconductor
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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100
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Especificaciones
Brand
Taiwan SemiconductorTipo de producto
Diode
Tipo de soporte
Through Hole
Encapsulado
DO-41
Corriente continua máxima directa lf
1A
Tensión repetitiva inversa de pico Vrrm
20V
Series
1N581x
Configuración de diodo
Single
Tipo de rectificador
Diodo rectificador
Número de pines
2
Corriente inversa de pico lr
1mA
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65°C
Pico de corriente directa no repetitiva lfsm
30A
Tensión directa máxima Vf
750mV
Temperatura Máxima de Operación
125°C
Ancho
2.7 mm
Altura
2.7mm
Longitud
5.2mm
Diámetro
2.7 mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Diodos de barrera Schottky, hasta 1 A, Taiwan Semiconductor
Baja pérdida de potencia
Caída de tensión directa baja
Capacidad de corriente alta


