Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsConverter Function
FVC, VFC
Tipo de Producto
Convertidor de tensión a frecuencia
Tipo de Convertidor
Voltage
Frecuencia a Escala Completa
1kHz
Error de Linealidad
1 %FSR
Tipo de Fuente de Alimentación
Single
Tensión de Alimentación Máxima
30V
Tensión de Alimentación Mínima
4.5V
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SSOP
Número de pines
10
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud:
5mm
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El dispositivo es un convertidor de alta tensión que integra de manera inteligente un MOSFET de potencia resistente a avalancha de 800 V con control de modo de corriente de PWM. El MOSFET de potencia con una tensión de ruptura de 800 V permite aplicar el rango de tensión de entrada ampliado, así como reducir el tamaño del circuito amortiguador DRAIN. Este IC ofrece un consumo muy bajo y funciona con modulación de frecuencia de impulso con carga ligera. Admite el diseño de convertidores de retorno, reductores y reductores-elevadores.
Volver a intentar más tarde
$ 1.877.500
$ 751 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 2.234.225
$ 893,69 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
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$ 893,69 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
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2500
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsConverter Function
FVC, VFC
Tipo de Producto
Convertidor de tensión a frecuencia
Tipo de Convertidor
Voltage
Frecuencia a Escala Completa
1kHz
Error de Linealidad
1 %FSR
Tipo de Fuente de Alimentación
Single
Tensión de Alimentación Máxima
30V
Tensión de Alimentación Mínima
4.5V
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SSOP
Número de pines
10
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-40°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud:
5mm
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
El dispositivo es un convertidor de alta tensión que integra de manera inteligente un MOSFET de potencia resistente a avalancha de 800 V con control de modo de corriente de PWM. El MOSFET de potencia con una tensión de ruptura de 800 V permite aplicar el rango de tensión de entrada ampliado, así como reducir el tamaño del circuito amortiguador DRAIN. Este IC ofrece un consumo muy bajo y funciona con modulación de frecuencia de impulso con carga ligera. Admite el diseño de convertidores de retorno, reductores y reductores-elevadores.