Transistor Darlington, ULQ2802A, NPN 500 mA, 50 V, HFE:1000, PDIP, 18 pines Emisor común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
18
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
8
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Altura
5.1mm
Anchura
7.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Dimensiones
24.8 x 7.1 x 5.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
105 °C
Largo
24.8mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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$ 29.040
$ 1.452 Each (In a Tube of 20) (Sin IVA)
$ 34.558
$ 1.727,88 Each (In a Tube of 20) (IVA Inc.)
20
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
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Número de pines
18
Configuración de transistor
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8
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Altura
5.1mm
Anchura
7.1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Dimensiones
24.8 x 7.1 x 5.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
105 °C
Largo
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País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
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