Transistor Darlington, ULQ2003D1013TR, NPN 500 mA, 50 V, SOIC, 16 pines Emisor común

Código de producto RS: 686-8133Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: ULQ2003D1013TR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

500 mA

Tensión Máxima Colector-Emisor

50 V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

16

Configuración de transistor

Common Emitter

Número de Elementos por Chip

7

Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor

1.6 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

–40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

105 °C

Largo

10mm

Altura

1.6mm

Profundidad

4mm

Dimensiones

10 x 4 x 1.6mm

Datos del producto

Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics

Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.

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$ 7.590

$ 759 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 9.032

$ 903,21 Each (In a Pack of 10) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
10 - 40$ 759$ 7.590
50 - 90$ 715$ 7.150
100 - 240$ 676$ 6.760
250 - 490$ 638$ 6.380
500+$ 608$ 6.080

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NPN

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Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

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16

Configuración de transistor

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Número de Elementos por Chip

7

Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor

1.6 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

–40 °C

Temperatura Máxima de Funcionamiento

105 °C

Largo

10mm

Altura

1.6mm

Profundidad

4mm

Dimensiones

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Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.

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