Transistor Darlington, ULQ2003D1013TR, NPN 500 mA, 50 V, SOIC, 16 pines Emisor común

Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
16
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
7
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Altura
1.6mm
Anchura
4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Dimensiones
10 x 4 x 1.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
105 °C
Longitud
10mm
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
Darlington Transistor Drivers
$ 1.095.000
$ 438 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.303.050
$ 521,22 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)
2500
$ 1.095.000
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Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
16
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
7
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Altura
1.6mm
Anchura
4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Dimensiones
10 x 4 x 1.6mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
105 °C
Longitud
10mm
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.

