Par Darlington, ULN2802A, NPN 500 mA, 50 V, PDIP, 18 pines Emisor común
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
18
Transistor Configuration
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
8
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-20 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
23.24mm
Altura
3.93mm
Ancho
7.1mm
Dimensiones del Cuerpo
23.24 x 7.1 x 3.93mm
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
Darlington Transistor Drivers
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| 10 - 95 | $ 2.875 | $ 14.375 |
| 100 - 245 | $ 2.189 | $ 10.945 |
| 250 - 495 | $ 1.952 | $ 9.760 |
| 500+ | $ 1.823 | $ 9.115 |
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NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
-50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
18
Transistor Configuration
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
8
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-20 °C
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+85 °C.
Longitud
23.24mm
Altura
3.93mm
Ancho
7.1mm
Dimensiones del Cuerpo
23.24 x 7.1 x 3.93mm
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
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