Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Transistor Darlington
Corriente continua máxima de colector Ic
1.5A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
50V
Encapsulado
PDIP
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
16
Número de elementos por chip
4
Polaridad del transistor
NPN
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.4V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-20°C
Disipación de potencia máxima Pd
4.3W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
85°C
Profundidad
7.1 mm
Longitud
20mm
Altura
5.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
ULN2074B
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
Darlington Transistor Drivers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Transistor Darlington
Corriente continua máxima de colector Ic
1.5A
Tensión Colector-Emisor máxima VCEO
50V
Encapsulado
PDIP
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
16
Número de elementos por chip
4
Polaridad del transistor
NPN
Tensión de saturación máxima Colector-Emisor VCESAT
1.4V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-20°C
Disipación de potencia máxima Pd
4.3W
Máxima Temperatura de Funcionamiento
85°C
Profundidad
7.1 mm
Longitud
20mm
Altura
5.1mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Serie
ULN2074B
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.


