Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1,75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
16
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
4
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.4 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-20 °C
Altura
5.1mm
Dimensiones
20 x 7.1 x 5.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
20mm
Anchura
7.1mm
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
Darlington Transistor Drivers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
1,75 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Número de pines
16
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
4
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.4 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-20 °C
Altura
5.1mm
Dimensiones
20 x 7.1 x 5.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Longitud
20mm
Anchura
7.1mm
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.


