Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
16
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Dimensiones del Cuerpo
20 x 7.1 x 5.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-20 °C
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Largo
20mm
Altura
5.1mm
Ancho
7.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.
Darlington Transistor Drivers
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
20
P.O.A.
Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
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20
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
500 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
50 V
Tipo de Encapsulado
DIP
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
16
Configuración de transistor
Common Emitter
Número de Elementos por Chip
7
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
1.6 V
Dimensiones del Cuerpo
20 x 7.1 x 5.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-20 °C
Temperatura Máxima de Operación
+85 °C.
Largo
20mm
Altura
5.1mm
Ancho
7.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
Conjuntos de transistores Darlington, STMicroelectronics
Los controladores de potencia de transistor Darlington son arrays interruptores de alta tensión y alta corriente que contienen varios pares Darlington en colector abierto y diodos de supresión integral para cargas inductivas. La corriente nominal alta de cada salida es de 500 mA o superior. Los contactos de entrada están dispuestos frente a los de salida en el encapsulado de CI para simplificar la disposición de la placa de aplicaciones. La interfaz es de nivel de lógica estándar para TTL o CMOS.


