Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
2x Common Cathode Pair
Tensión mínima de ruptura Vbr
80V
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
70V
Número de pines
8
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
90A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Número de elementos por chip
2
Longitud:
5mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
4mm
Serie
TPI
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
No
Corriente de fugas inversa máxima
10μA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
2x Common Cathode Pair
Tensión mínima de ruptura Vbr
80V
Tipo de Montaje
Surface
Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
70V
Número de pines
8
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
90A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Número de elementos por chip
2
Longitud:
5mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
4mm
Serie
TPI
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
No
Corriente de fugas inversa máxima
10μA
Datos del producto