Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
2x Common Cathode Pair
Tensión mínima de ruptura Vbr
80V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
70V
Número de pines
8
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
90A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Número de elementos por chip
2
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
4mm
Serie
TPI
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
No
Corriente de fugas inversa máxima
10μA
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
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Empaque de Producción (Rollo)
5
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
Diodo TVS
Tipo de Dirección
Bi-Directional
Configuración de diodo
2x Common Cathode Pair
Tensión mínima de ruptura Vbr
80V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tensión de corte inversa máxima Vwm
70V
Número de pines
8
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Corriente de prueba lt
1mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
90A
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Número de elementos por chip
2
Longitud
5mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
4mm
Serie
TPI
Altura
1.5mm
Estándar de automoción
No
Corriente de fugas inversa máxima
10μA
Datos del producto